Cada detalle cuenta en la producción de semiconductores: la fabricación de carburo de silicio (SiC) plantea exigencias especialmente elevadas en cuanto a pureza, estabilidad del proceso y eficiencia energética. Por ello, los productores y los institutos de investigación trabajan constantemente en la optimización de sus procesos de síntesis. Sobre todo porque las impurezas más pequeñas pueden perjudicar la conductividad eléctrica del producto final.
Comparte el estudio de caso:
El carburo de silicio se valora en la industria de los semiconductores como material de alto rendimiento, por ejemplo para la electrónica de potencia y las aplicaciones de alta temperatura. Un método de producción de SiC es el proceso de síntesis directa a partir de una mezcla estequiométrica en polvo de silicio y carbono a temperaturas superiores a 2000 °C, normalmente al vacío o con gas inerte y en crisoles de grafito
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La industria se enfrenta aquí a los retos típicos: alto consumo de energía, control complejo del proceso y necesidad de garantizar una pureza absoluta. Al mismo tiempo, la calidad del material y el diseño de los componentes de grafito utilizados influyen decisivamente en el éxito de la síntesis.
Industria:
Procedimiento:
Solución:
Servicios:
Consultoría, ingeniería documentación técnica, fabricación
Resultado:
– Producto final de SiC puro sin impurezas – Sin pérdida de polvo y sistema limpio – Eliminación del paso de decantación (manipulación más eficaz) – Mejora de la fiabilidad del proceso y de la eficiencia energética |
El objetivo era desarrollar un crisol de grafito desarrollar un crisol de grafito que permitiera tanto la mezcla como la síntesis de SiC en un único recipiente, garantizando al mismo tiempo la pureza del proceso.
Graphite Materials se encargó de la ingeniería desde el desarrollo del concepto hasta la realización. Junto con el cliente, se creó un nuevo diseño de crisol con un sistema de tapa integrado que combina varias funciones:
