Dans la fabrication des semi-conducteurs, chaque détail compte : la production de carbure de silicium (SiC) pose des exigences particulièrement élevées en termes de pureté, de stabilité des processus et d’efficacité énergétique. Les producteurs et les instituts de recherche s’efforcent donc en permanence d’optimiser leurs processus de synthèse. En effet, la moindre impureté peut nuire à la conductivité électrique du produit final.
Partager une étude de cas :
Le carbure de silicium est apprécié dans l’industrie des semi-conducteurs comme matériau de haute performance, par exemple pour l’électronique de puissance et les applications à haute température. L’une des méthodes de production du SiC est le processus de synthèse directe à partir d’un mélange stœchiométrique de poudres de silicium et de carbone à des températures supérieures à 2000 °C, généralement sous vide ou sous gaz inerte et dans des
L’industrie est alors confrontée à des défis typiques : consommation d’énergie élevée, gestion complexe du processus et exigence de garantir une pureté absolue. Parallèlement, la qualité des matériaux et la conception des composants en graphite utilisés ont une influence déterminante sur le succès de la synthèse.
Secteur d’activité :
Procédure :
Solution :
Prestations :
des services de conseil, Ingénierie
, documentation technique, Fabrication
résultat :
– Produit final SiC pur sans impuretés – Pas de perte de poudre et installation propre – Suppression de l’étape de transvasement (manipulation plus efficace) – Amélioration de la sécurité des processus et de l’efficacité énergétique |
L’objectif était de créer un creuset en graphite de développer un système permettant à la fois de mélanger et de synthétiser le SiC dans un seul récipient, tout en garantissant la pureté du processus.
Graphite Materials a pris en charge l’ingénierie et la conception du système. Ingénierie Le projet a été mené de bout en bout, du développement du concept à la réalisation. En collaboration avec le client, nous avons créé un nouveau design de pot avec un système de couvercle intégré qui combine plusieurs fonctions :
